在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)LASH和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設備接口）來連接存儲設備。英銳恩單片機開發(fā)工程師介紹，在單片機中也集成了多種不同類型的SPI存儲設備，包括FLASH和EEPROM。

在本文中，英銳恩單片機開發(fā)工程師將FLASH和EEPROM兩者之間的關系以及背景進行了比較。

一、FLASH和EEPROM之間的差異

SPI閃存和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關閉電源也能保存數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器，用以存儲單片機的應用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲信息。

盡管FLASH和EEPROM設備都可以存儲嵌入式設備中使用的信息，但是它們的體系結(jié)構和用于讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節(jié)級別讀取，寫入和擦除數(shù)據(jù)。另一方面，F(xiàn)LASH是EEPROM的一種，在結(jié)構上以塊的形式排列，在塊中擦除數(shù)據(jù)，并且可以在字節(jié)級別讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。

二、使用閃存與EEPROM有什么優(yōu)缺點？

使用閃存或EEPROM設備有很多優(yōu)點和缺點：

英銳恩單片機開發(fā)工程師介紹，由于EEPROM以字節(jié)為單位運行其擦除功能，因此這增加了清除和編輯設備所花費的時間，但允許開發(fā)人員在需要時編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數(shù)據(jù)，從而大大提高了擦除速度，并使設備可以更緊湊地存儲信息。但是，由于這個原因，它也失去了編輯某些字節(jié)的能力，從而迫使開發(fā)人員在進行任何更改時都重寫整個數(shù)據(jù)塊。

在存儲設備上執(zhí)行多個擦除和寫入周期將導致其最終隨著時間的推移而降級。使用EEPROM的優(yōu)點之一是使用壽命更長。EEPROM在其生命周期內(nèi)最多可以執(zhí)行1000000個擦除/重寫周期。根據(jù)閃存的類型，閃存的使用壽命會縮短，大多數(shù)閃存產(chǎn)品在磨損開始惡化存儲完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環(huán)。另外，就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸，并且實現(xiàn)成本更低。

三、EEPROM和FLASH的類型

EEPROM和FLASH有不同類型。EEPROM支持串行和并行訪問，串行EEPROM通過I2C或SPI等串行協(xié)議進行接口。因此，它包括數(shù)量有限的引腳，并且能夠在最少數(shù)量的線路上進行操作-通常為2至4條。

并行EEPROM通過使用8位總線的并行通信進行接口，并且需要額外的引腳才能運行-通常最多28到32。盡管并行EEPROM的運行速度比串行EEPROM要快，但由于其簡單性，因此首選串行EEPROM，包括SPI和I2C EEPROM。I2C和SPI在眾多芯片中被廣泛使用。

英銳恩單片機工程師介紹，閃存也有多種類型，其中最常見的是NAND和NOR閃存。NOR和NAND閃存為某些應用提供不同的優(yōu)勢。NOR閃存提供更快的讀取速度和隨機訪問功能，而NAND閃存更適合于快速寫入和擦除數(shù)據(jù)。與NOR閃存相比，NAND閃存更常用，因為它針對高密度存儲進行了優(yōu)化，并且由于不具有隨機訪問功能，因此能夠?qū)崿F(xiàn)更小的芯片尺寸和單位成本。

四、FLASH與EEPROM應用

SPI閃存已在嵌入式行業(yè)中被廣泛使用，通常用于便攜式設備中的存儲和數(shù)據(jù)傳輸。常見設備包括電話、平板電腦和媒體播放器，以及工業(yè)設備，如安全系統(tǒng)和醫(yī)療產(chǎn)品。閃存對于靜態(tài)數(shù)據(jù)應用（例如USB閃存驅(qū)動器）有大作用。而EEPROM在嵌入式應用中也很常見，并且經(jīng)常用于在計算機、電子系統(tǒng)和設備中存儲最少的數(shù)據(jù)量。

以上就是英銳恩單片機開發(fā)工程師分享的CAN協(xié)議的歷史與應用場景。英銳恩專注單片機應用方案設計與開發(fā)，提供8位單片機、16位單片機、32位單片機、運放芯片和模擬開關。