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PIC單片機(jī)芯片晶振設(shè)計(jì)晶振設(shè)計(jì)

更新時(shí)間: 2019-03-23
閱讀量:1725

十年專注單片機(jī)方案開發(fā)的方案公司英銳恩,分享PIC單片機(jī)芯片晶振設(shè)計(jì)晶振設(shè)計(jì)。英銳恩現(xiàn)提供服務(wù)產(chǎn)品涉及主控芯片:8位單片機(jī)、16位單片機(jī)、32位單片機(jī)及各類運(yùn)算放大器等。

是單片機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)的重要環(huán)節(jié)之一,因此很有必要了解晶振電路的特點(diǎn),組成以及如何選用相關(guān)電子元件。 PIC單片機(jī)有四種振蕩方式可供選擇,振蕩方式經(jīng)配置寄存器CONFIG的F0SC1,F0SC0位加以選擇,并在EPROM編程時(shí)寫入。 表1:振蕩器類型選擇

F0SC1

F0SC0

振 蕩 方 式

0

0

低功耗振蕩LP(Low Power)

0

1

標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩XT(Crystal/Resonator)

1

0

高速晶體振蕩HS (High Speed)

1

1

阻容振蕩 RC(Resistor/Capacitor)

 

晶體振蕩器/陶瓷振蕩器: XT、LP、HS三種方式中,需一晶體或陶瓷諧振器連接到單片機(jī)的OSC1/CLKIN和OSC2/CLKOUT引腳上,以建立振蕩,如圖1所示。電阻RS常用來(lái)防止晶振被過分驅(qū)動(dòng)。在晶體振蕩下,電阻RF≈10MΩ。對(duì)于32KHZ以上的晶體振蕩器,當(dāng)VDD>4.5V時(shí),建議C1=C2≈30PF。(C1:相位調(diào)節(jié)電容; C2:增益調(diào)節(jié)電容。)

外部晶體振蕩器電路: PIC芯片可以使用已集成在片內(nèi)的振蕩器,亦可使用由TTL門電路構(gòu)成的簡(jiǎn)單振蕩器電路。當(dāng)外接振蕩器時(shí),外部振蕩信號(hào))僅限于HS。XT。LP)從OSC1端輸入,OSC2端開路。

圖2所示的是典型的外部并行諧振振蕩電路,應(yīng)用晶體的基頻來(lái)設(shè)計(jì)。74AS04反相器以來(lái)實(shí)現(xiàn)振蕩器所需的180°相移,4.7KΩ的電阻用來(lái)提供負(fù)反饋給反相器,10KΩ的電位器用來(lái)提供偏壓,從而使反相器74AS04工作在線性范圍內(nèi)。圖3所示的是典型的外部串行諧振振蕩電路,亦應(yīng)用晶體的基頻來(lái)設(shè)計(jì)。74AS04反相器用來(lái)提供振蕩器所需的180°相移, 330Ω的電阻用來(lái)提供負(fù)反饋,同時(shí)偏置電壓。

RC振蕩:

RC振蕩適合于對(duì)時(shí)間精度要求不高的低成本應(yīng)用。RC振蕩頻率隨著電源電壓VDD,RC值及工作環(huán)境溫度的變化而變化。同時(shí)由于工藝參數(shù)的差異,對(duì)不同芯片其振蕩器頻率將不同。另外,當(dāng)外接電容CEXT值較小時(shí),對(duì)振蕩器頻率的影響更大,當(dāng)然,我們也應(yīng)考慮電阻電容本身的容差對(duì)振蕩器頻率的影響。

圖4所示的是RC振蕩電路,如果REXT低于2.2KΩ,振蕩器將處于不穩(wěn)定工作狀態(tài),甚至停振。而REXT大于1M[時(shí),振蕩器又易受噪聲、濕度、漏電流的干擾。

因此,電阻REXT取值最好在3KΩ~100KΩ范圍內(nèi)。在不接外部電容時(shí),振蕩器仍可工作,但為了抗干擾及保證穩(wěn)定性,建議接一20PF以上的電容。

PIC單片機(jī)片內(nèi)有一4分頻電路,從OSC1/CLKIN引腳輸入或RC振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率fOSC經(jīng)4分頻后從OSC2/CLKOUT引腳輸出4分頻信號(hào),該信號(hào)可用于測(cè)試或作為其它邏輯電路的同步信號(hào)。

常見問題分析 1:如何選擇晶體?對(duì)于一個(gè)高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計(jì),晶體的選擇非常重要,尤其設(shè)計(jì)帶有睡眠喚醒(往往用低電壓以求低功耗)的系統(tǒng)。這是因?yàn)榈凸╇婋妷菏固峁┙o晶體的激勵(lì)功率減少,造成晶體起振很慢或根本就不能起振。這一現(xiàn)象在上電復(fù)位時(shí)并不特別明顯,原因時(shí)上電時(shí)電路有足夠的擾動(dòng),很容易建立振蕩。在睡眠喚醒時(shí),電路的擾動(dòng)要比上電時(shí)小得多,起振變得很不容易。在振蕩回路中,晶體既不能過激勵(lì)(容易振到高次諧波上)也不能欠激勵(lì)(不容易起振)。晶體的選擇至少必須考慮:諧振頻點(diǎn),負(fù)載電容,激勵(lì)功率,溫度特性,長(zhǎng)期穩(wěn)定性。 2:如何判斷晶振是否被過分驅(qū)動(dòng)?電阻RS常用來(lái)防止晶振被過分驅(qū)動(dòng)。過分驅(qū)動(dòng)晶振會(huì)漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍,這將引起頻率的上升??捎靡慌_(tái)示波器檢測(cè)OSC輸出腳,如果檢測(cè)一非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合時(shí)鐘輸入需要,則晶振未被過分驅(qū)動(dòng);相反,如果正弦波形的波峰,波谷兩端被削平,而使波形成為方形,則晶振被過分驅(qū)動(dòng)。這時(shí)就需要用電阻RS來(lái)防止晶振被過分驅(qū)動(dòng)。判斷電阻RS值大小的最簡(jiǎn)單的方法就是串聯(lián)一個(gè)5k或10k的微調(diào)電阻,從0開始慢慢調(diào)高,一直到正弦波不再被削平為止。通過此辦法就可以找到最接近的電阻RS值。 3:如何選擇電容C1,C2?(1):因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性,所以最好按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。 (2):在許可范圍內(nèi),C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定,但將會(huì)增加起振時(shí)間。 (3):應(yīng)使C2值大于C1值,這樣可使上電時(shí),加快晶振起振。PIC芯片晶振設(shè)計(jì).

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