單片機(jī)方案開(kāi)發(fā)商深圳英銳恩分享PIC16C71,16C84單片機(jī)應(yīng)用中問(wèn)題和對(duì)策。

一：PIC16C71單片機(jī)的問(wèn)題和對(duì)策

問(wèn)題1：在芯片進(jìn)入低功耗睡眠模式 (SLEEP MODE)后，其振蕩腳將處于浮態(tài)，這將使芯片的睡眠功耗上升，比原手冊(cè)中的指標(biāo)高了10μA以上。

對(duì)策：在振蕩腳OSC1和地 (GND)之間加一10MΩ電阻可防止OSC1進(jìn)入浮態(tài)，且不會(huì)影響單片機(jī)正常振蕩。

問(wèn)題2：RA口方向寄存器TRISA目前只是一個(gè)4位寄存器，對(duì)應(yīng)于RA0~RA3，并非手冊(cè)中所言是8位寄存器，對(duì)應(yīng)于RA0~RA4，即RA4并沒(méi)有相應(yīng)的輸入/輸出方向控制位，它是一個(gè)具有開(kāi)極輸出，施密特輸入I/O腳。

對(duì)策：避免使用對(duì)RA口進(jìn)行讀-修改-寫(xiě)指令（如BCF RA， BSF RA），以免非意愿地改變RA4的輸入/輸出狀態(tài)。對(duì)于RA口的操作應(yīng)采用寄存器的操作方式（MOVWF RA）。

問(wèn)題3：當(dāng)CPU正在執(zhí)行一條對(duì)INTCON寄存器進(jìn)行讀-修改-寫(xiě)指令時(shí)，如果發(fā)生中斷請(qǐng)求，則讀中斷例程會(huì)被執(zhí)行二次。這是因?yàn)楫?dāng)中斷請(qǐng)求發(fā)生后INTCON寄存器中的GIE位會(huì)被硬件自動(dòng)清零（屏蔽所有中斷），并且程序轉(zhuǎn)入中斷例程入口（0004H）。當(dāng)GIE位被清零后，如果這時(shí)正好CPU在執(zhí)行一條對(duì)INTCON的讀-修改-寫(xiě)指令（如BSF INTCON等），則 GIE位還會(huì)被寫(xiě)回操作重新置1，這樣會(huì)造成CPU二次進(jìn)入中斷例程。

對(duì)策：如果在程序中需對(duì)INTCON的某一中斷允許位進(jìn)行修改，則應(yīng)事先置GIE=0

，修改完成后再恢復(fù)GIE=1。

…………..

BCF INTCON, GIE

BSF INTCON, ×××

BSF INTCON, GIE

…………..

問(wèn)題4：當(dāng)芯片電壓VDD加電上升時(shí)間大于100μs時(shí)，電源上電復(fù)位電路POR和電源上電延時(shí)器PWRT可能不能起正常的作用，而使芯片的復(fù)位出現(xiàn)不正常（即PC≠?gòu)?fù)位地址）。一般在這種情況下建議不要采用PWRT。

對(duì)策：如果VDD上升時(shí)間很長(zhǎng)，此芯片一般需較長(zhǎng)的電源上電延時(shí)，可靠的電

源上電延時(shí)方法如圖1所示，在MCLR端外接復(fù)位電路。

問(wèn)題5：如果在A/D轉(zhuǎn)換中用RA3作為參考電壓輸入，則最大滿量程誤差(NFS)要大于手冊(cè)中的指標(biāo)。實(shí)際情況如表1所示。

表1 A/D滿量程誤差表

二：PIC16C84單片機(jī)的問(wèn)題和對(duì)策

問(wèn)題1：PIC16C84單片機(jī)的內(nèi)部的E2PROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的E/W周期偶爾會(huì)超出最大值（10ms）。

對(duì)策：在程序中應(yīng)該用EECON1寄存器中的WR位來(lái)判斷寫(xiě)周期的完成，或是啟用“寫(xiě)周期完成中斷”功能，這兩種方法可保證寫(xiě)入完成。

問(wèn)題2：VDD和振蕩頻率的關(guān)系如表2所示。