隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和國產(chǎn)單片機(jī)、外設(shè)的更新迭代，新產(chǎn)品設(shè)計面臨越來越多的電磁干擾(EMI)的威脅。相應(yīng)的，單片機(jī)在抗干擾性上也在進(jìn)步，比如英銳恩8051單片機(jī)EN8F5113是一款國產(chǎn)51內(nèi)核單片機(jī)，它具有很強(qiáng)的抗干擾性。

早些時候，發(fā)射和干擾的問題被稱為EMI或RFI(無線電頻率干擾)。在名稱上，現(xiàn)在普遍用“電磁兼容性”代替“干擾”的叫法，電磁兼容性(EMC)包括給定系統(tǒng)的發(fā)射和磁化率。

EMI經(jīng)常會造成產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度的延遲，早期和持續(xù)地關(guān)注EMC/EMI的影響將給產(chǎn)品帶來盡可能少的成本和進(jìn)度延誤，而缺乏這方面的關(guān)注幾乎肯定會導(dǎo)致成本增加和進(jìn)度延誤。

英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師表示，即使不能完全消除干擾，也可以盡量減少干擾。減少電磁兼容性，需要滿足三個標(biāo)準(zhǔn)：

1.不會對其他系統(tǒng)造成干擾。
2.不受其他系統(tǒng)的影響。
3.不會對自身造成干擾。

當(dāng)電子設(shè)備表現(xiàn)出不希望看到的行為時，就會發(fā)生干擾。這種干擾或直接(通過導(dǎo)體、共阻抗耦合等)或間接(通過串?dāng)_和輻射耦合)發(fā)生。

電磁干擾是通過傳導(dǎo)和輻射發(fā)生的，大量的電磁發(fā)射源，如閃電、繼電器、直流電機(jī)和熒光燈會造成干擾。交流電導(dǎo)體、互連電纜、金屬柜和子系統(tǒng)的內(nèi)部電路可能會輻射或接收到不需要的信號。在高速數(shù)字電路中，時鐘電路通常是寬帶噪聲的最大產(chǎn)生源。在高速運(yùn)行的單片機(jī)中，這些電路可以產(chǎn)生高達(dá)300兆赫茲的諧波失真，這應(yīng)該被消除。在數(shù)字電路中，最易損壞的元件是復(fù)位線、中斷線和控制線。

英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師解釋，一種非常明顯但經(jīng)常被忽視的方法是通過導(dǎo)體將噪聲引入電路。在有噪聲的環(huán)境中運(yùn)行的導(dǎo)線可以捕捉到噪聲并將其傳導(dǎo)到另一個電路，在那里產(chǎn)生干擾。設(shè)計者必須在噪聲產(chǎn)生干擾之前，防止導(dǎo)線產(chǎn)生噪聲，或者通過解耦消除噪聲。常見的例子是噪聲傳導(dǎo)到電路上的電源引線。如果電源本身或與電源相連的其他電路是干擾源，就必須在電流通過導(dǎo)體進(jìn)入敏感電路之前解耦。

如果單片機(jī)本身在抗干擾型上很出色，那么其運(yùn)行的穩(wěn)定性將大大增加。比如：國產(chǎn)51內(nèi)核單片機(jī)EN8F5113，它具有12bit ADC、增強(qiáng)型PWM、SPI、I2C、EUART。EN8F5113為Flash工藝，ROM為8K字節(jié)，RAM為256字節(jié)，EEPROM為128字節(jié)。

以上就是英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師分享的抗干擾8051單片機(jī)EN8F5113-國產(chǎn)51內(nèi)核單片機(jī)。英銳恩專注單片機(jī)應(yīng)用方案設(shè)計與開發(fā)，提供8位單片機(jī)、16位單片機(jī)、32位單片機(jī)、運(yùn)放芯片和模擬開關(guān)。