目前，中國(guó)已經(jīng)具備7納米單片機(jī)IC芯片刻蝕機(jī)的實(shí)際使用能力，而且基本上掌握了最先進(jìn)的5納米工藝技術(shù)。

中國(guó)第一次做出了與世界最先進(jìn)水平同步的刻蝕機(jī)，而且，在刻蝕機(jī)核心部件方面也有著獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。比如作為7納米刻蝕機(jī)核心部件的氣體噴淋盤，中國(guó)研制了等離子體增強(qiáng)的物理氣象沉積金屬陶瓷材料，大幅增強(qiáng)了氣體噴淋盤材料的性能。這種噴淋盤相比國(guó)外當(dāng)前采用的不僅造價(jià)更低，壽命還更長(zhǎng)。

目前，所有單片機(jī)IC芯片巨頭制定的工藝制程的可實(shí)現(xiàn)性都由光刻機(jī)與刻蝕機(jī)的性能來(lái)決定，也就是說如果芯片加工廠要達(dá)到7納米這樣的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)，其生產(chǎn)過程使用到的光刻機(jī)與刻蝕機(jī)就必須具有7納米的工藝能力。

而高端光刻機(jī)相關(guān)技術(shù)的門檻極高，目前光刻機(jī)領(lǐng)域的龍頭老大也只有荷蘭的一家公司，它壟斷了高端光刻機(jī)市場(chǎng)，而且對(duì)于中國(guó)來(lái)說，有錢也不一定能買到（中國(guó)在其限制購(gòu)買的名單中）。

所以中國(guó)在刻蝕機(jī)上尋找機(jī)會(huì)，打破技術(shù)僵局。

在上世紀(jì)80年代，等離子體刻蝕技術(shù)就廣泛的應(yīng)用到了集成電路IC領(lǐng)域中，但由于刻蝕時(shí)具有復(fù)雜的物理和化學(xué)過程，加上需要用到電感耦合等離子體源等核心部件以及高真空度來(lái)保證等離子體的質(zhì)量，所以這種儀器仍然是有技術(shù)門檻的高科技儀器。且國(guó)際市場(chǎng)上，刻蝕機(jī)主要都是國(guó)外企業(yè)制造，而且這些巨頭為了謀求更大的利益已經(jīng)開始走向合并，一旦格局成型，就可能演變?yōu)楣饪虣C(jī)那樣一家獨(dú)大的局面。

所幸的是，現(xiàn)在來(lái)自國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)已經(jīng)迅速崛起，在刻蝕機(jī)這一塊也是參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的玩家了。

刻蝕機(jī)制造是一個(gè)系統(tǒng)性的工程，對(duì)于刻蝕機(jī)這種加工精度極高的設(shè)備，其對(duì)機(jī)械精度要求很高，這既需要用到精密加工機(jī)床等設(shè)備，同時(shí)等離子體源等核心部件的設(shè)計(jì)也都會(huì)影響到設(shè)備的精度.

正是由于自主研發(fā)生產(chǎn)出了具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的等離子光刻機(jī)，美國(guó)隨之把等離子刻蝕機(jī)從對(duì)中國(guó)控制的單子上去掉了，不過這種遲到“施舍”我們已經(jīng)不需要了，國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體企業(yè)還需要繼續(xù)加力，突破更多技術(shù)難關(guān)，讓國(guó)外有機(jī)會(huì)向中國(guó)“解禁”更多的名單。正如深圳英銳恩科技有限公司一樣，由單片機(jī)IC芯片代理商逐漸轉(zhuǎn)型為自主研發(fā)單片機(jī)IC芯片，十年的發(fā)展沉淀，專業(yè)的團(tuán)隊(duì)給予技術(shù)支持，逐步實(shí)現(xiàn)做有價(jià)值的“芯”方案解決商的企業(yè)愿景。