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單片機(jī)芯片原材料碳化硅現(xiàn)狀—深圳單片機(jī)開發(fā)方案公司

更新時(shí)間: 2019-03-22
閱讀量:2183

關(guān)注單片機(jī)芯片產(chǎn)業(yè)的朋友們對(duì)碳化硅這種芯片材料并不陌生了,今天深圳單片機(jī)開發(fā)方案公司英銳恩圍繞碳化硅材料展開解析。碳化硅相較于硅的,其高耐壓及高耐溫性能優(yōu)越,但是碳化硅問世十多年來并沒有得到市場(chǎng)大規(guī)模地轉(zhuǎn)化。究其原因就是碳化硅晶圓的制造及產(chǎn)能不順暢。

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由于物理的特性,碳化硅材料擁有很高的硬度,目前僅次于金剛石,因此在生產(chǎn)上勢(shì)必要在高溫與高壓的條件下才能生產(chǎn),一般而言,需要在2000°C以上高溫(硅晶僅需在1500°C),以及350MPa以上才能達(dá)成。若透過添加一些特殊的助燒劑,或者氣體沉積的方式,則可使碳化硅燒成溫度降到2000°C左右,且在常壓下就能進(jìn)行??梢?,雖然有長晶設(shè)備,但碳化硅晶圓的生產(chǎn)仍是十分困難,不僅是因?yàn)楫a(chǎn)能仍十分有限,而且品質(zhì)十分的不穩(wěn)定。

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依據(jù)目前的硅晶業(yè)者的生產(chǎn)情況,一般而言,生產(chǎn)8吋的硅晶棒,需要約2天半的時(shí)間來拉晶,6吋的硅晶棒則需要約一天。接著,待晶棒冷卻之后,再進(jìn)行晶圓的切片和研磨。

至于碳化硅晶圓,光長晶的時(shí)間,就約需要7至10天,而且生成的高度可能只有幾吋而已(硅晶棒可達(dá)1至2米以上),再加上后續(xù)的加工制程也因?yàn)橛捕鹊挠绊懚鄬?duì)困難,因此其產(chǎn)能十分有限,品質(zhì)也不穩(wěn)定。

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最近這五年,單片機(jī)芯片原材料碳化硅又開始受到重視,主要就是在電動(dòng)車這類需要高功率元件的應(yīng)用陸續(xù)浮出臺(tái)面,讓人們意識(shí)到碳化硅元件在耐高壓方面的優(yōu)勢(shì)。

作為新興的單片機(jī)芯片原材料,碳化硅是在1200V以上的高壓有十分顯著的優(yōu)勢(shì),非常適合運(yùn)用在電動(dòng)車這類的應(yīng)用上;GaN則是落在600V至1000V區(qū)間的應(yīng)用上。

深圳單片機(jī)開發(fā)方案公司英銳恩對(duì)碳化硅原材料的觀點(diǎn)和司馬良亮一樣,持保守意見。目前碳化硅在臺(tái)灣的發(fā)展仍是比較慢,投入與采用的業(yè)者都不多,因此仍待時(shí)間觀察。至于晶圓材料產(chǎn)能的問題,還是需要時(shí)間沉淀才能改善基板短缺情況及生產(chǎn)的質(zhì)量。




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