深圳單片機開發(fā)方案公司英銳恩分享芯資訊—2.5nm三維晶體管已經(jīng)研制出。單片機芯片創(chuàng)新突破的步伐是在一直推進(jìn)的，先前是單片機7nm工藝，再到單片機芯片界先行者的試產(chǎn)5nm，而現(xiàn)在推出的單片機芯片晶體管再次減少一半，達(dá)到2.5nm寬。

  麻省理工學(xué)院和科羅拉多大學(xué)的工程師近日成功研發(fā)出新的微加工技術(shù)，可用于生產(chǎn)有史以來最小的3D晶體管，尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。而研究人員開發(fā)的一些新晶體管再次將其減半，根據(jù)測量創(chuàng)紀(jì)錄的達(dá)到2.5納米寬。

  為了制造它們，該團隊在新進(jìn)開發(fā)的微加工工藝熱原子層蝕刻（thermal ALE）基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)。首先他們將稱之為銦鎵砷（indium gallium arsenide）的合金半導(dǎo)體材料暴露于氟化氫（hydrogen fluoride）上，用于在基板表面上形成薄薄的金屬氟化物層。

  每次刻蝕僅0.2納米，當(dāng)重復(fù)數(shù)百次過程時，蝕刻精度可以達(dá)到令人驚嘆的地步。但這種新技術(shù)更精確，而且能生產(chǎn)出更高質(zhì)量的晶體管。此外它重新利用了一種用于在材料上沉積原子層的普通微加工工具，這意味著它可以快速集成。這將使計算機芯片具有更多的晶體管和更好的性能。

  單片機芯片工藝再次取得突破，深圳單片機開發(fā)方案公司英銳恩倍感欣喜，預(yù)示著單片機芯片產(chǎn)業(yè)朝著高集成高精密工藝又邁進(jìn)一步。