深圳單片機(jī)開(kāi)發(fā)方案公司英銳恩為你帶來(lái)晶圓代工廠(chǎng)的資訊。電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)越來(lái)越微型化與晶圓代工廠(chǎng)們工藝的不斷升級(jí)息息相關(guān)。晶元代工廠(chǎng)臺(tái)積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝，采用ASML的新式光刻機(jī)Twinscan NXE，完成了客戶(hù)芯片的流片工作，同時(shí)宣布5nm工藝將在2019年4月開(kāi)始試產(chǎn)，量產(chǎn)則有望在2020年第二季度。

為什么說(shuō)晶圓加工工藝的升級(jí)與電子產(chǎn)品產(chǎn)品開(kāi)發(fā)微型化息息相關(guān)呢？因?yàn)榫гS(chǎng)臺(tái)積電推出的7nm、5nm晶圓加工工藝意味著在同樣的材料中可以制造更多的電子元件，連接線(xiàn)也越細(xì)，精細(xì)度就越高，CPU的功耗也就越小。晶元代工廠(chǎng)臺(tái)積電在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術(shù)的可靠和成熟，為后續(xù)量產(chǎn)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。相比臺(tái)積電第一代7nm深紫外光刻(DUV)技術(shù)，臺(tái)積電宣稱(chēng)可將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。



而7nm之后，臺(tái)積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5)，將在多達(dá)14個(gè)層上應(yīng)用EUV，號(hào)稱(chēng)其可比初代7nm工藝的晶體管密度提升80%，芯片面積縮小45%，頻率提升15%，功耗降低20%。



而三星也宣布開(kāi)始進(jìn)行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產(chǎn)工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻機(jī)，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B（光源功率280W），日產(chǎn)能1500片。



在技術(shù)指標(biāo)上，對(duì)比10nm FinFET，三星7nm LPP可實(shí)現(xiàn)面積能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知，高通新一代的5G基帶會(huì)采用三星的7nm LPP工藝。

這些代工巨頭們?cè)谙冗M(jìn)制程持續(xù)競(jìng)賽，意味著EUV工藝就要正式產(chǎn)業(yè)化，這為打拼20多年的ASML帶來(lái)了全新的曙光，迎來(lái)了開(kāi)掛態(tài)勢(shì)。



深圳單片機(jī)開(kāi)發(fā)方案公司英銳恩引用一段專(zhuān)家分析，來(lái)更客觀(guān)地看待ASML的光刻設(shè)備。EUV光刻工藝今年正式量產(chǎn)只是一個(gè)開(kāi)始，因?yàn)槌两焦饪虣C(jī)的產(chǎn)能可達(dá)250 WPH，可以250W的光源長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，因此，EUV光刻155 WPH的產(chǎn)能雖然可喜可賀，但還需要持續(xù)精進(jìn)。