單片機代理商深圳英銳恩為您介紹PIC12C5XX單片機功能原理。PIC12C5XX單片機是美國Microchip公司推出的8位單片機，也是世界上第一個8腳封裝的8位單片機系列，英銳恩科技有推出兼容PIC單片機的國產(chǎn)8位單片機。
§1.1 功能特點
一、高性能RISC結(jié)構(gòu)CPU
·精簡指令集，僅33條單字節(jié)指令，易學易用
·除地址分支跳轉(zhuǎn)指令為雙周期指令外，其余所有指令皆為單周期指令
·執(zhí)行速度： DC～1μs
·二級硬件堆棧
·直接、間接、相對三種尋址方式
二、功能部件特性
·8位定時器/計數(shù)器TIMER0，帶8位預分頻器
·大驅(qū)動電流，I/O腳可直接驅(qū)動數(shù)碼管（LED）顯示
每個I/O引腳最大控電流25mA
每個I/O引腳最大灌電流20mA
·內(nèi)置上電復位電路（POR）
·復位定時器，保障復位正常
·內(nèi)部MCLR復位端加上拉電路，無需外接上拉
·內(nèi)置自振式看門狗，防程序死鎖
·程序保密位，可防止程序代碼的非法拷貝
·低功耗睡眠功能
·I/O引腳可喚醒睡眠
·內(nèi)置4MHz RC型振蕩源，可省外接振蕩
·可選外接振蕩
RC： 低成本阻容振蕩
XT： 標準晶體/陶瓷振蕩
LP： 低速晶體，低功耗振蕩
三、CMOS工藝特性
·低功耗
＜2mA ＠5V，4MHz
-15μA ＠3V，32KHz
-＜1μA 低功耗睡眠（Sleep）模式下
·全靜態(tài)設計
·寬工作電壓范圍：2.5V～5.5V
·寬工作溫度范圍：
商用級： 0℃～＋70℃
-工業(yè)級：－40℃～＋85℃
-汽車級：－40℃～＋125℃
§1.2 型號及引腳介紹
PIC12C5XX目前有二種型號，見下表：
型 號振 蕩EPROMRAM定時器輸入線I/O線電壓范圍封裝（DIP/SOIC）12C508DC~4Mhz512×1225×81152.5V-5.5V812C509DC~4Mhz1024×1241× 81152.5V-5.5V8
表1.1 PIC12C5XX型號功能表
各型號管腳圖如下：
PDIP，SOIC，Windowed CERDIP
VDD——> GP5/OSC1/CLKIN<——> GP4/OSC2<——> GP3/MCLR/VPP——><——VSS <——>GP0 <——>GP1 <——>GP2/T0CK1
圖1.1 12C508/509引腳
下表描述了各引腳的功能。
  引腳名 引腳序號 屬性 緩沖類型 功能 GP07I/OTTL/ST雙向I/O口線，帶可編程弱上拉，并具電平變化喚醒睡眠功能GP16I/OTTL/ST雙向I/O口線，帶可編程弱上拉，并具電平變化喚醒睡眠功能GP2/T0CK15I/OST雙向I/O口線，并可設置為計數(shù)器TIMER0的外部信號輸入端GP3/MCLR4ITTL單向輸入口線，也可設置為芯片復位端。當設為復位端MCLR時，低電平有效。 當作為輸入口線時，帶可編程弱上拉及電平變化喚醒睡眠功能GP4/OSC23I/OTTL雙向I/O口線，（使用片內(nèi)RC振蕩源時，也可作為晶振輸出端）GP5/OSC1/CLKIN2I/OTTL/ST雙向I/O口線，（使用片內(nèi)RC振蕩源時，也可作為晶振輸入端或外部振蕩輸入端）VDD1電源—正電源VSS8電源—地注：ST ─ 斯密特觸發(fā)器
表1.2 PIC12C5XX引腳功能
從上表可看出，PIC12C5XX最多可以有5根I/O口線和1根輸入口線（GP3）。
§1.3 PIC12C5XX內(nèi)部結(jié)構(gòu)
  PIC12C5XX 的總線結(jié)構(gòu)采用的是數(shù)據(jù)總線（8位）和指令總線（12位）獨立分開的”哈佛結(jié)構(gòu)”，所以它具有精簡指令集（RISC）的特點，速度快，效率高，并且功耗很低.
  PIC12C5XX在一個芯片上集成了8位的算術邏輯運算單元（ALU），0.5K～1K的12位程序存儲器，25～41個8位數(shù)據(jù)寄存器以及8位的計數(shù)器，上電復位電路，復位定時器，看門狗等等。
圖1.2 PIC12C5XX內(nèi)部結(jié)構(gòu)
§1.4 指令周期和流水作業(yè)
PIC12C5XX的指令周期被分頻成4個不重疊的節(jié)拍Q1～Q4，程序計數(shù)器PC在Q1節(jié)拍增1， 而指令是在Q4節(jié)拍從程序存儲器中取出并置入指令譯碼器，并在下一個指令周期被執(zhí)行， 如下圖所示：
指令的執(zhí)行貫穿Q1～Q4節(jié)拍。
如上所述，當CPU在執(zhí)行一條指令的同時， 下一條指令的代碼也同時被取出置入指令譯碼器，準備在下一指令周期執(zhí)行，這就是PIC的流水作業(yè)方式，也是RISC結(jié)構(gòu)單片機的特點，這種特點使單片機的運行速度可以達到很高。
除了地址分支跳轉(zhuǎn)指令的執(zhí)行周期是2個指令周期外，其余所有指令都是單周期指令， 見下圖：
圖1.4 流水作業(yè)
§1.5 程序存儲器和堆棧
PIC12C5XX的程序存儲器為12位長，其中PIC12C508為512字節(jié)，而PIC12C509為1024字節(jié)。復位向量為地址0，因為最后一個字節(jié)（PIC12C508為地址1FFH，PIC12C509為地址3FFH）存放有片內(nèi)RC實際振蕩的校正系數(shù)，其形式為指令MOVLW XX，用戶不要使用這個字節(jié)，所以用戶的程序應從地址000H開始存放，注意這點和PIC16C5X有所不同。
圖1.5 程序存儲器和堆棧
PIC12C5XX把程序存儲器以512字節(jié)為單位進行分頁管理，這樣PIC12C508有一個頁面程序區(qū)，而PIC12C509有2個頁面程序區(qū)，由狀態(tài)寄存器STATUS中的PA0位（STATUS<5>） 確定程序區(qū)的頁面。這是因為PIC是RISC結(jié)構(gòu)，所有指令都是單字節(jié)，在PIC12C5XX中， 一條指令中所包含的地址信息只有9位，只能直接尋址一個頁面（512字節(jié)）；對于12C509，則還要由PA0位來輔助尋址2個頁面（1024字節(jié)）的程序空間，即程序當需從一個頁面跳轉(zhuǎn)到另一個頁面時（CALL、GOTO指令），應事先根據(jù)要跳轉(zhuǎn)去的頁面，把PA0位置為相應的值，請參閱狀態(tài)寄存器的描述。
PIC12C5XX的堆棧有2層，有自己獨立的空間，不占用程序存儲器。注意它只能容納二層子程序嵌套調(diào)用。堆棧的長度是12位，和PC長度一致，可以存放子程序調(diào)用時的PC值。
對堆棧的壓入操作由子程序調(diào)用指令CALL完成，出棧操作則由子程序返回指令RETLW完成，請參閱第二章中這二條指令的詳介。
§1.6 數(shù)據(jù)存儲器
PIC12C5XX的數(shù)據(jù)存儲器（RAM）由一些寄存器組成，分為特殊寄存器和通用寄存器二種。在PIC單片機中，對任何部件的操作都表現(xiàn)為對某一寄存器的操作，所以編程非常簡單明了。
： 非實際存在的寄存器，參見§1.6.1中詳介。
圖1.6 寄存器結(jié)構(gòu)
從上圖可看到，00h～06h為特殊寄存器，其余為通用寄存器。PIC12C508有25個通用寄存器，而PIC12C509則有41個通用寄存器，其中25個在Bank0，另16個在Bank1，關于寄存器的Bank方式，請參閱§1.6.1的FSR寄存器描述。
§1.6.1 特殊寄存器
一、INDF（地址：00h） ── 間址寄存器
INDF是一個物理上不存在的寄存器，只是一個邏輯寄存器，用來進行間接尋址，實際的尋址地址為FSR<4:0>的值。
例： MOVLW 10h
MOVWF FSR ；實際地址10h（F10寄存器）→FSR
MOVLW 55h
MOVWF INDF ；數(shù)據(jù)55h→F10
INCF FSR ；FSR增1（FSR=11h）
MOVWF INDF ；數(shù)據(jù)55h→F11
參閱后面FSR寄存器的描述。
二、TMR0（地址：01h） ── 定時器/計數(shù)器寄存器
二、TMR0（地址：01h） ── 定時器/計數(shù)器寄存器
TMR0對應于TIMER0，它是一個8位的定時器/計數(shù)器（在PIC16C5X中稱其為RTCC），請參閱§1.8詳介。
三、PCL（地址：02h） ── 程序計數(shù)器PC<7:0>
PIC12C5XX程序計數(shù)器PC最多可尋址1K（1024）程序區(qū)：
型 號PC長度尋址空間PC復位值PIC12C50895121FFhPIC12C5091010243FFh
單片機一復位，PC值被置為全“1”指向程序區(qū)的最后一個字節(jié)。前面我們提過，這個地址存放的是芯片出廠時已放入的MOVLW XX指令（其中XX是片內(nèi)振蕩校正系數(shù)），所以單片機復位后會執(zhí)行這條指令，然后PC馬上翻轉(zhuǎn)到000h，開始執(zhí)行用戶的程序代碼。注意，頁面選擇位PA0 復位時也被清零，所以這時頁面處于0頁，請參閱有關狀態(tài)寄存器STATUS的描述。
對于“GOTO”指令，它的指令碼中含有跳轉(zhuǎn)地址的低9位，即PC<8:0>，對于PIC12C509來說，狀態(tài)寄存器的第5位（STATUS<5>）還會被置入PC<9>，以選擇程序頁面，從而尋址1K的程序空間.
對于“CALL”指令或其他涉及會修改PCL的指令，它們的指令碼中僅包含目的地址的低8位，即PC<7:0>，而PC<8>總是會被硬件自動清零，狀態(tài)寄存器第5位（STATUS<5>）也會被置入PC<9>以選擇程序頁面（對于PIC12C509而言）。見下圖：
從上圖可看出，由于執(zhí)行這些指令硬件總會清PC<8>=0，所以它們的起始地址都必須限于放在每個程序頁面的上半?yún)^(qū)，即頭上的256個字節(jié)空間內(nèi)（0h～FFh或200h～2FFh）。
四、STATUS（地址：03h） ── 狀態(tài)寄存器
STATUS寄存器包含了ALU的算術狀態(tài)、芯片復位狀態(tài)、程序頁面位等信息。STATUS 可以被讀/寫，但是其中的復位狀態(tài)位TO、PD不能由軟件設置，它們的狀態(tài)如何決定§1.12.7 會有詳細描述。
圖1.9 狀態(tài)寄存器
在加法運算時，C是進位位；在減法運算時，C是借位的反。
例a：
CLRF F10 ；F10=0
MOVLW 1 ；W=1
SUBWF F10 ；F10-W=-1（FFH），C=0（運算結(jié)果為負）
例b：
MOVLW 1 ；W=1
MOVWF F10 ；F10=1
CLRW ；W=0
SUBWF F10 ；F10-W=1，C=1（運算結(jié)果為正）
PD和TO兩位可用來判斷芯片復位的原因，GPWUF位也是用來判斷芯片復位類型，請參閱§1.12.7描述。
五、FSR（地址：04h） ── 選擇寄存器
FSR和INDF寄存器（地址：00h）配合完成間接尋址，請參閱前面有關INDF寄存器的描述。FSR寄存器寬度為5位，F(xiàn)SR<4:0>用來間接尋址32個寄存器，F(xiàn)SR<5> 則用來選擇寄存器體（Bank），見下圖：
圖1.10 直接/間接尋址方式
a、PIC12C508： 不存在寄存器體選，F(xiàn)SR<5>恒為“1”。 b、PIC12C509： FSR<5>=1 Bank1， FSR<5>=0 Bank0。
六、OSCCAL（地址：05h） ── 內(nèi)部振蕩校正系數(shù)寄存器
PIC12C5XX內(nèi)部集成有RC振蕩供用戶選擇使用，OSCCAL<7:4> 包含了該振蕩電路的校正系數(shù)，其上電初始值為“0111”，請參閱§1.11.4有關內(nèi)部RC振蕩的描述。
七、GPIO（地址：06h） ── I/O寄存器
PIC12C5XX有一個6位的I/O口，它在寄存器中的映像就是GPIO寄存器，GPIO<5:0>對應于 I/O口線GP5:GP0，GPIO<7:6>未用，恒為“0”。
八、TRIS ── I/O方向控制寄存器
TRIS是GP口線方向控制寄存器，用戶不能直接尋址，必須通過執(zhí)行“TRIS 6”指令來設置它。當執(zhí)行“TRIS 6”指令后，W寄存器的內(nèi)容即會被置入TRIS中。“1”將相應的I/O口線設為輸入態(tài)（高阻態(tài)），“0”則被設為輸出態(tài)。但是有二點例外，即GP3永遠是輸入態(tài)而GP2有可能由OPTION寄存器設置為輸入態(tài)（T0CKI），而不理會TRIS中的設置內(nèi)容。請參閱§1.2關于I/O口的描述。
例：
MOVLW 0Fh ；W=“00001111”
TRIS 6 ；TRIS=“001111”，GP0:GP3為輸入態(tài)
GP4:GP5為輸出態(tài)
各種復位都會置TRIS為全“1”。
九、OPTION ── 參數(shù)定義寄存器
OPTION用來定義一些芯片工作參數(shù)，見下圖所示：
圖1.11 OPTION寄存器
OPTION也是不能由用戶直接尋址的，必須由執(zhí)行“OPTION”指令來把W寄存器中的內(nèi)容置入OPTION寄存器，如下例：
MOVLW 7 ；W=“00000111”
OPTION ；W→OPTION
各種復位都會置OPTION為全“1”。
注意即使TRIS中相應的GP2方向位是“0”，如果將TOCS置為“1”，則GP2也會被強置為輸入態(tài)，即為T0CKI輸入線。
有關OPTION各位的定義，請參閱各自相應的章節(jié)。
十、W ── 工作寄存器
W寄存器用來存放指令中的第二個操作數(shù)，或用來進行內(nèi)部數(shù)據(jù)傳送，或存放運算結(jié)果，是最常用的寄存器。
§1.6.2 通用寄存器
PIC12C508： 07h ─ 1Fh ；Bank0 PIC12C509： 07h ─ 1Fh ；Bank0 30h ─ 3Fh ；Bank1
通用寄存器在上電后的值是隨機的，所以它屬RAM性質(zhì)。
§1.7 I/O 口
PIC12C5XX只有一個I/O口，對應的映像寄存器為GPIO（地址：06h），其中GPIO< 5:0> 對應GP5:GP0，GPIO<7:6>未用，永為“0”。注意，GP3僅可作為輸入，是單向I/O口線。另外，GP5、GP4、GP3及GP2還可以由用戶定義成各種特殊功能口線，一旦它們被用作特殊用途，則永遠讀為“0”。GP0、GP1和GP3還帶有可編程的弱上拉和“電平變化喚醒功能”（即喚醒正處于睡眠狀態(tài)下的芯片），關于這點請參閱OPTION寄存器的描述。如果GP3被用戶定義為復位輸入端（MCLR），則它的弱上拉自動有效，但“電平變化喚醒”特性被自動關閉。
GPIO口線的方向由TRIS寄存器控制，詳情參見§1.6.1中有關TRIS寄存器的描述。
§1.7.1 I/O 口結(jié)構(gòu)
一根I/O口線的結(jié)構(gòu)如下圖所示：
圖1.12 I/O口結(jié)構(gòu)
除了GP3只能單向作為輸入口外，其余的GPIO口皆可由用戶定義為輸入/輸出態(tài)。作為輸入口時沒有鎖存，外部信號必須保持到讓CPU讀入為止（例如：MOVF GPIO，W）。作為輸出則有鎖存，可以保持直到被新的值取代為止。
I/O端的輸入/輸出態(tài)由TRIS寄存器的值控制，當TRIS將“1”置入I/O控制器時Q1和Q2 都處于截止態(tài)，所以I/O端即呈高阻態(tài)（輸入態(tài)）。當執(zhí)行I/O讀指令（如MOVF 6，W），把當前I/O端的狀態(tài)讀入數(shù)據(jù)總線。當TRIS將“0”置入I/O控制器時，Q1和Q2的導通情況將要由數(shù)據(jù)鎖存器Q端的狀態(tài)來決定。當寫入數(shù)據(jù)為“1”時，Q端為低電平0，則Q1導通，I/O輸出為高電平。反之，當寫入數(shù)據(jù)為“0”時，Q端為“1”，則Q2導通，I/O端輸出為低電平。I/O讀寫時序如圖1.13所示。
§1.7.2 I/O口使用注意事項
1、I/O方向轉(zhuǎn)置的問題
某時候可能需要一個I/O口一會做輸入，一會又做輸出。這就是I/O方向的轉(zhuǎn)置。在編寫這種I/O轉(zhuǎn)置程序時必須注意，有些指令如位設置指令（BSF、BCF）寫I/O口時是先從I/O讀入其狀態(tài)，執(zhí)行位操作后再將結(jié)果寫回去覆蓋原來的內(nèi)容（輸出的結(jié)果放在I/O口的數(shù)據(jù)鎖存器）。
舉個例子來說：“BSF 6，5” 這條指令的目的是要把B口的第6位置為高電平“1”。執(zhí)行這條指令時，先把整個B口當前的狀態(tài)內(nèi)容讀入到CPU，把第6位置成“1”后再把結(jié)果（8個位）重新輸出到B口。如果B口中的有一個I/O端是需要方向轉(zhuǎn)置的（比如說bit1），而這時是處于輸入態(tài)，那么B口的狀態(tài)值重新寫入后，B口的數(shù)據(jù)鎖存器1的鎖存值就是當前B口Bit1的狀態(tài)。 這可能和先前Bit1作為輸出時所鎖存的值不同，所以當Bit1 再轉(zhuǎn)置成輸出態(tài)時，出現(xiàn)在Bit1 端的狀態(tài)就可能和先前的輸出態(tài)不同了。
2、I/O的“線或”和“線與”
從圖1.12看出PIC I/O端輸出電路為CMOS互補推挽輸出電路。因此與其他這類電路一樣，當某個PIC I/O端設置為輸出狀態(tài)時，不能與其他電路的輸出端接成“線或”或“線與”的形式，否則可能引起輸出電流過載，燒壞PIC。如需要與其他電路接成“線或”電路時，PIC I/O 端必須置于“1”狀態(tài)或輸入狀態(tài)，并外接下拉電阻。電阻的阻值根據(jù)實際電路和PIC I/O 端最大電流來決定。
3、I/O口的連續(xù)操作
一條寫I/O的指令，對I/O真正寫操作是發(fā)生在指令的后半周期（參照圖1.13）。而讀I/O的指令卻是在指令的周期開始就讀取I/O端狀態(tài)。所以當你連續(xù)對一個I/O端寫入再讀出時，必須要讓I/O端上的寫入電平有一個穩(wěn)定的時間，否則讀入的可能是前一個狀態(tài)，而不是最新的狀態(tài)值。一般推薦在兩條連續(xù)的寫，讀I/O口指令間至少加一條NOP指令。
例：
MOVWF 6 ；寫I/O
NOP ；穩(wěn)定I/O電平
MOVF 6，W ；讀I/O
4、噪聲環(huán)境下的I/O操作
在噪聲環(huán)境下（如靜電火花），I/O控制寄存器可能因受干擾而變化。比如I/O口可能會從輸入態(tài)自己變成輸出態(tài)，對于這種情形，WDT也是無法檢測出來的。因此如果你的應用環(huán)境是較惡劣的，建議你每隔一定的間隔，都重新定義一下I/O控制寄存器。最保險的方法當然是對I/O讀寫前都定義一下I/O控制寄存器（但是實踐證明對于大多數(shù)的應用都不必做到這樣，只是提請你注意噪聲干擾）。
圖1.13 I/O口連續(xù)讀/寫時序
§1.8 定時器/計數(shù)器TIMER0
TIMER0是一個8位的定時器/計數(shù)器，其對應的映像寄存器是TMR0（地址：01h），可由用戶程序直接讀寫，并且可帶有8位的預分頻器。它用于對外加在GP2/T0CKI引腳上的外部信號進行計數(shù)（計數(shù)器）或?qū)?nèi)部指令時鐘進行計時（定時器），在PIC16C5X中它被稱為RTCC。
TIMER0及其相關電路如圖1.14所示。從圖中可看出TIMER0工作狀態(tài)由OPTION寄存器控制，其中OPTION寄存器的T0SC位用來選擇TIMER0的計數(shù)信號源，當T0SC為“1”時，信號源為內(nèi)部時鐘，T0SC為“0”時，信號源為來自T0CKI引腳的外部信號。OPTION寄存器的PSA位控制預分頻器（Prescaler）分配對象，當PSA位為“1”， 分配給TIMER0，即外部或內(nèi)部信號經(jīng)過預分頻器分頻后再輸出給TIMER0。 預分頻器的分頻比率由OPTION內(nèi)的PS0～PS2決定。這時涉及寫TMR0寄存器的指令均同時將預分頻器清零，OPTION 寄存器內(nèi)容保持不變，即分配對象、分頻比率等均不變。OPTION的T0SE 位用于選擇外部計數(shù)脈沖觸發(fā)沿。當T0SE為“1”時為下降沿觸發(fā)，為“0”時則上升沿觸發(fā)。
圖1.14 TIMER0 方塊圖
TIMER0計數(shù)器采用遞增方式計數(shù)，當計數(shù)至FFH時，在下一個計數(shù)發(fā)生后，將自動復零，重新開始計數(shù)，從此一直循環(huán)下去。TIMER0對其輸入脈沖信號的響應延遲時間為2個機器周期，不論輸入脈沖是內(nèi)部時鐘、外部信號或是預分頻器的輸出。響應時序見圖1.15。
TIMER0對外部信號的采樣周期為2個振蕩周期，因此當不用預分頻器時，外加在T0CKI 引腳上的脈沖寬度不得小于2個振蕩周期即1/2指令周期。同時，當使用預分頻器時，預分頻器的輸出脈沖周期不得小于指令周期，因此預分頻器最大輸入頻率可達N，fosc/4，N 為預分頻器的分頻比，但不得大于50MHz。
圖1.15a. TIMER0時序圖：內(nèi)部時鐘/無預分頻器
圖1.15b. TIMER0時序圖：內(nèi)部時鐘/預分頻比1：2
應注意的是盡管PIC對外部加于T0CKI信號端上的信號寬度沒有很嚴格的要求，但是如果高電平或低電平的維持時間太短，也有可能使TIMER0檢測不到這個信號。一般要求信號寬度要大于10ns。
§1.9 預分頻器
預分頻器是一個分頻倍數(shù)可編程的8位計數(shù)器。其結(jié)構(gòu)如圖1.14 所示上節(jié)對預分頻參數(shù)已有描述，這里不再贅述。
預分預器的分配對象完全由程序控制，可以在程序中改變Prescaler分配對象。
1、從TIMER0到WDT的改變
MOVLW B'XX0X0XXX' ；選擇內(nèi)部時鐘和新的預分頻值 OPTION ；如果新的預分頻值='000'或者 CLRF 1 ；='001'，則暫時先選一個另外的值 MOVLW B'XXXX1XXX' ；清零TMR0和預分頻器 OPTION ；選擇WDT為對象，但不要改變預分頻值 CLRWDT ；清WDT和預分頻器 MOVLW B'XXXX1XXX' ；選擇新的預分頻器 OPTION
2、從WDT到TIMER0的改變
CLRWDT ；清WDT 及Prescaler MOVLW B'XXXX0XXX' ；選擇TIMER0 OPTION
圖1.16 預分頻器方塊圖
注意，預分頻器只能分配給TIMER0或WDT其中之一使用，而不能同時分配給二者。
§1.10 看門狗WDT
看門狗計時器（Watch Dog Timer）是一個片內(nèi)自振式的RC振蕩計時器，無需任何的外接元件。這意味著即使芯片振蕩停止了（例如執(zhí)行指令SLEEP后），WDT照樣保持計時。WDT計時溢出將產(chǎn)生RESET。在PIC12C5XX芯片內(nèi)有一個特殊的謂之“系統(tǒng)定義字”（Configuration EPROM）的單元，其中的一個位是用于定義WDT的，可以將其置“0”來抑制WDT使之永遠不起作用。這將在第六章的燒寫器介紹部分詳細說明。
1、WDT周期
WDT有一個基本的溢出周期18ms（無預設倍數(shù)），如果需要更長的WDT周期，可以把預分頻器分配給WDT，最大分頻比可達1：128，這時的WDT溢出周期約為2.5S。WDT溢出周期和環(huán)境溫度、VDD等參數(shù)有關系，請參閱附錄的圖表。
“CLRWDT”和“SLEEP”指令將清除WDT計時器以及預分頻器（當預分頻器分配給WDT時）。WDT一般用來防止系統(tǒng)失控或者說防止單片機程序“失控”。在正常情況下，WDT應在計時溢出前被CLRWDT指令清零，以防止產(chǎn)生RESET。如果程序由于某種干擾而失控，那么不能在WDT溢出前執(zhí)行一條CLRWDT指令，就會使WDT溢出而產(chǎn)生RESET，使系統(tǒng)重新啟動運行而不至失去控制。若WDT溢出產(chǎn)生RESET，則狀態(tài)寄存器F3的“TO”位會被清零，用戶可藉此判斷復位是否由WDT溢時所造成。
2、WDT編程注意事項
如果使用WDT，一定要仔細在程序中的某些地方放一條“CLRWDT”指令，以保證在WDT在溢出前能被清零，否則會造成芯片不停地產(chǎn)生RESET，使系統(tǒng)無法正常工作。
在噪聲工作環(huán)境下，OPTION寄存器可能會因受干擾而改變，所以最好每隔一段時間就將其重新設置一下。
§1.11 振蕩
PIC12C5XX可以運行在以下四種振蕩方式下：
a、LP 低功耗低速晶體振蕩 b、XT 標準晶體/陶瓷振蕩 c、INTRC 內(nèi)部4MHz RC振蕩 d、EXTRC 外部RC振蕩
以上四種振蕩方式可由“系統(tǒng)定義字”中的Fosc1：Fosc2 兩位來選擇，請讀者參閱后面§1.12.9的詳述。
§1.11.1 晶體/陶瓷振蕩
這種振蕩包括XT和LP，其電路連接是在GP5/OSC1/CLKIN和GP4/OSC2兩端加一晶體/陶瓷振蕩，如下圖所示：
圖1.17 晶體/陶瓷振蕩電路
下表是使用各種頻率的晶體和陶瓷振蕩所需的C1、C2電容值。
振蕩類型頻率C1C2 振蕩類型頻率C1C2XT455KHz68-100P68-100PLP32KHz15P15P 2MHz15-33P15-33PXT100KHz15-30P200-300P200KHz15-30P100-200P 4MHz10-22P10-22P 1MHz15-30P15-30P 2MHz15P15P 4MHz15P15P
a. 陶瓷振蕩 b.晶體振蕩
表1.3 各種振蕩下的C1和C2值
§1.11.2 外部RC振蕩
這種振蕩類型成本最低，但頻率的精確性較差，適用于時間精確度要求不高的應用場合。RC振蕩的頻率是VDD、RC值以及環(huán)境溫度的函數(shù)。請參閱附錄的RC頻率函數(shù)圖。RC 振蕩的連接如圖1.18所示。
圖1.18 RC振蕩電路
RC振蕩是在OSC1端連接一個串聯(lián)的電阻電容。這個電阻如果低于2.2K，振蕩不穩(wěn)定，甚至不能振蕩，但是電阻高于1M時，則振蕩又易受干擾。所以電阻值最好取5K～100K之間。盡管電容C為0時，電路也能振蕩，但也易受干擾且不穩(wěn)定，所以電容值應取20P以上。RC值和頻率關系如表1.4所示。RC振蕩時OSC2端輸出一OSC1的4分頻脈沖（f=1/4OSC1）。
RestCextVDDFosc/25℃5kΩ0PF5.04.0MHz5kΩ20PF6.02.2MHz5kΩ20PF3.52.5MHz10kΩ130PF5.0480MHz10kΩ290PF5.0245MHz100kΩ300PF3.530MHz
表1.4 RC與頻率的關系
§1.11.3 外部振蕩
PIC12C5XX也可以接受外部振蕩源（僅適合于XT和LP類型振蕩），連接時將外部振蕩接入GP5/OSC1/CLKIN端，見下圖：
圖1.19 外部振蕩源輸入電路
§1.11.4 內(nèi)部RC振蕩
PIC12C5XX內(nèi)部提供有4MHz的RC振蕩源供用戶選擇使用，選擇振蕩方式和振蕩源的方法見§1.12.9詳介。
在PIC12C5XX的程序區(qū)最頂端（12C508：1FFh，12C509：3FFh）放了一條MOVLW XX的指令， XX是內(nèi)部RC振蕩的校正系數(shù)。芯片上電后，PC指針指向程序區(qū)最頂端，執(zhí)行完這條指令后PC 值加1變?yōu)?00h。這時W寄存器中存放即是內(nèi)部RC振蕩的校正系數(shù)，用戶可以把這個系數(shù)置入OSCCAL寄存器（05h）以便使其起校正作用，也可以忽略不管它。
例： 0 ；定義存儲區(qū)地址0 MOVWF OSCCAL ；把W中的校正系數(shù)置入OSCCAL。
§1.12 復 位（RESET）
PIC12C5XX有各種各樣原因造成的芯片復位：
1、芯片上電 2.、MCLR端加低電平 3、看門狗WDT超時溢出 4、睡眠中某些I/O口線電平發(fā)生變化
當芯片處于復位狀態(tài)時，所有I/O口線都處于輸入狀態(tài)（高阻態(tài)），看門狗WDT和預分頻器都被清零。
圖1.20 片內(nèi)復位電路（暫缺）
§1.12.1 復位定時器（DRT）
復位定時器DRT（在PIC16C5X 中我們稱其為OST）是為了使芯片的復位可靠安全而設計。在PIC12C5XX中，對于XT和LP振蕩方式，上電后它們還需要一定的時間來建立穩(wěn)定的振蕩。有鑒于此，PIC12C5XX內(nèi)部設計了一個復位定時器DRT。DRT在MCLR端到達高電平（VIHMC）后，即啟動計時18ms，這樣可以使芯片保持在復位狀態(tài)約18ms以便讓振蕩電路起振及穩(wěn)定下來，然后芯片即脫離復位狀態(tài)進入正常運行狀態(tài)。DRT的振蕩源是芯片內(nèi)專有的RC振蕩電路，所以外圍電路并不能改變其18ms的計時時間。
當WDT計時溢出后，DRT也是啟動18ms使芯片保持在復位狀態(tài)，然后再重新開始運行程序。
注意，在振蕩方式是外部RC或內(nèi)部RC時，DRT都關閉不起作用。
§1.12.2 芯片上電復位（POR）
PIC12C5XX在芯片內(nèi)集成有上電復位電路，見圖1.20所示。當芯片電源電壓VDD上升到一定值時（1.5V-2.1V），檢測電路即會發(fā)出復位脈沖使芯片復位。
§1.12.3 MCLR復位
PIC12C5XX的GP3/MCLR端可以由用戶定義為普通輸入口GP3或復位端MCLR，如下圖：
圖1.21 GP3/MCLR端電路（暫缺）
具體方法參見§1.12.9有關描述。
一旦用戶選擇MCLR功能，則該端輸入低電平會使芯片進入復位狀態(tài)。
§1.12.4 外部復位電路
在某種情況下，DRT計時18ms后，芯片的振蕩電路還不能穩(wěn)定或供電電壓（VDD）還不能達到標準值，這時如果芯片脫離復位狀態(tài)進入運行，則芯片就有可能失控或運行不正常。為了使芯片脫離復位狀態(tài)時各部分都處于正常，可以在MCLR端上加外部RC復位電路來延長復位時間，如下圖：
圖1.22 外部復位電路
這個電路可以使VDD上升到標準值一段時間后，MCLR才會上升到高電平，從而啟動DRT計時18ms后才進入運行。這樣可以延長整個復位過程，保障芯片復位后進入正常運行。
§1.12.5 掉電復位鎖定
當單片機的供電電壓掉到最小標準值以下后，可能會使芯片的運行出現(xiàn)異常，從而擾亂整個控制系統(tǒng)，所以在某些應用中，我們希望一旦VDD掉到某個值時使芯片自動進入復位狀態(tài)（所有I/O口都變成高阻態(tài)）以免擾亂系統(tǒng)，下面是一個PIC12C5XX掉電復位鎖定的電路：
圖1.23 掉電復位鎖定
當VDD電壓恢復上升到標準值以上后，MCLR端恢復為高，從而使芯片恢復正常運行。
§1.12.6 復位對寄存器的影響
對于通用寄存器來說，上電復位后它們的值是隨機不定的，其他類型的復位后則保持原值不變。
對于特殊寄存器，各種復位后它們都會等于一個固定的復位值，見以下二表：
寄存器地址上電復位值MCLR復位 WDT復位 引腳變化喚起復位W—qqqq xxxx（注1）qqqq uuuu（注1）INDF00hxxxx xxxxuuuu uuuuTMR001hxxxx xxxxuuuu uuuuPC02h1111 11111111 1111STATUS03h0001 1xxx?00? ?uuu（注2）FSR（12C508）04h111x xxxx111u uuuuFSR（12C509）04h110x xxxx11uu uuuuOSCCAL05h0111 ——Uuuu ——GPIO06h—xx xxxx—uu ——-OPTION—1111 11111111 1111TRIS——11 1111—11 1111
u： 未變； x： 隨機值； -： 未用； ?： 其值取決于復位方式
注1：由于在復位向量處存放著MOVLW XX指令，其中XX為內(nèi)部RC振蕩校正系數(shù)，所以復位后W<7:4>即會等于這個值。
注2：參見表1.6。
a. 各特殊寄存器復位后的值
復 位 類 型 狀態(tài)寄存器STATUS程序計數(shù)器PC芯片上電復位 0000 1xxx1111 1111運行時MCLR端加低電平復位 000u uuuu1111 1111睡眠時MCLR端加低電平復位 0001 0uuuu1111 1111 睡眠時看門狗WDT超時復位 0000 0uuu1111 1111 運行時看門狗WDT超時復位 0000 1uuu 1111 1111睡眠時I/O腳電平變化喚醒復位 1001 0uuuu 1111 1111 u：未變； x：隨機.
b. 復位對STATUS和PC的影響
表1.5 各種復位對特殊寄存器的影響
§1.12.7 復位的鑒別
PIC12C5XX有多種原因都可引起芯片復位。在程序中判斷芯片復位的原因有時是非常必要的，例如上電復位后程序一般都要做一些寄存器初始化工作，而別的復位后則可以不做初始化而直接進入控制運行。
在狀態(tài)寄存器STATUS有三個位（GRWUF、TO、PD）可用來標識各種復位狀態(tài)，見下表：
GPWUFTOPD復 位 原 因000睡眠中WDT超時溢出001運行時WDT超時溢出010睡眠中MCLR拉低011芯片上電0uu運行時MCLR拉低110睡眠中GP0，GP1或GP3電平變化
u：未變
a. 復位后TO、PD及GPWUF的狀態(tài)
事 件GRWUFTOPD注 芯片上電011 WDT超時溢出 00u不影響PD位執(zhí)行Sleep指令（進入睡眠）u10 執(zhí)行CLRWDT指令（清看門狗） u11 睡眠中GP0，GP1或GP3電平發(fā)生變化110
u：未變
b. 影響TO、PD及GPWUF位狀態(tài)的事件
表1.6 復位對STATUS的影響
例：要判斷是否芯片上電。 BTFSS STATUS，TO ；TO=1 ? GOTO NO_POWERUP BTFSS STATUS，PD ；PD=1 ? GOTO NO_POWERUP INIT … ；TO=1，PD=1。芯片上電，做初始化。
§1.12.8 睡眠模式（Sleep）
1、進入SLEEP
執(zhí)行一條“SLEEP”指令即可進入低功耗睡眠模式。當進入SLEEP后，WDT被清零，然后重新開始計數(shù)。狀態(tài)寄存器STATUS中的PD位被置成“0”，TO位置成“1”，同時振蕩停止（指OSC1端的振蕩電路）。所有的I/O口保持原來的狀態(tài)。這種工作模式功耗最低。為使耗電流最小，進入SLEEP前，應使所有的I/O口處于高電平VDD或低電平VSS，而不應使其處于高阻態(tài)，以免產(chǎn)生開關電流損耗?？梢栽贗/O口加上拉或下拉電阻，或者把I/O口都置成輸出態(tài)來避免其處于高阻態(tài)（浮態(tài)）。
RTCC端亦應置為VDD或VSS（通過上拉或下拉）。
MCLR必須處于高電平狀態(tài)。
2、喚醒SLEEP
SLEEP可被WDT溢出喚醒，或在MCLR端加低電平喚醒SLEEP或GP0、GP1、GP3電平發(fā)生變化。第二種喚醒方法經(jīng)常用在以下應用場合：在系統(tǒng)主電源掉電，并由后備電源（電池）供電后，執(zhí)行“SLEEP”指令進入低功耗模式，這樣電池就可長時間保持系統(tǒng)數(shù)據(jù)。當主電源恢復供電時，讓其在MCLR產(chǎn)生一低電平喚醒SLEEP，并重新復位。這樣需在MCLR端加一外部復位電路。第三種方法則在需要使用系統(tǒng)時喚醒睡眠中的單片機，它常通過按鍵輸入來實現(xiàn)。系統(tǒng)上電時，STATUS的PD被置為“1”，而執(zhí)行“SLEEP”指令后，PD位被置成“0”。所以通過PD位可以判斷系統(tǒng)是從SLEEP模式喚醒而復位，還是上電后的復位。STATUS中的TO位則可判斷當處于SLEEP狀態(tài)的系統(tǒng)是由WDT溢時喚醒或是由外界給MCLR端一個低電平喚醒。這些區(qū)別有時是很重要的，特別是對系統(tǒng)的一些初始化工作來說。
§1.12.9 系統(tǒng)定義字（Configuration）
在PIC12C5XX中有一個12位長的系統(tǒng)定義字單元，其中只用了前5位（bit0～bit4），用來定義單片機的一些系統(tǒng)性能選擇，如下圖：
圖1.24 系統(tǒng)定義字
系統(tǒng)定義字屬特殊的空間，不占用芯片的程序存儲器，不能由程序指針（用戶程序）訪問，用戶可以用燒寫器對其進行編程，參見燒寫器章節(jié)中的描述。
程序保密位被置為“0”后，程序存儲區(qū)中的程序代碼（12位）中的高8位將被遮沒。具體地說，就是加密后再用燒寫器讀該芯片的程序區(qū)時，每一個程序代碼都呈現(xiàn)00X的形式，這樣別人就無法恢復這些被加密的代碼，因此也就無法進行復制拷貝。加密后的單片機的功能不會受任何影響，加密后的程序代碼并不影響其在芯片內(nèi)的運行，而只是不能再被還原讀出來。
§1.12.10 ID碼
PIC12C5XX芯片中有一個16位的標識碼（稱為ID碼），用來作芯片標識。ID碼僅起芯片識別作用，用戶可在燒寫器上將其燒入和讀出作芯片識別（如燒入日期等），但不會對芯片功能產(chǎn)生任何影響，即不使用它也沒有關系。
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