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什么是雙極晶體管?MOS FET和CMOS有什么不同?

更新時(shí)間: 2021-11-03

“晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型,每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu),例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然,它仍然是有源的,主要用于電壓/信號放大和開關(guān)控制。在本文中,英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師將解釋這種雙極晶體管是什么,以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。

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一、什么是雙極晶體管?

晶體管是一種半導(dǎo)體元件,可以放大很小的電壓或信號,或在電子電路中進(jìn)行開關(guān)以控制信號的開/關(guān)。傳統(tǒng)上,放大是使用真空管進(jìn)行的,但它的特點(diǎn)是物理尺寸大,功耗高。

然而,隨著 1947 年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室晶體管的發(fā)展,電子設(shè)備將發(fā)生巨大的變化。第一個(gè)晶體管被稱為點(diǎn)接觸晶體管,但次年發(fā)明了結(jié)型晶體管——電流雙極型晶體管,極大地促進(jìn)了設(shè)備的小型化、高精度、高效率、低功耗。

自從1968 年引入CMOS 技術(shù)后,后來被歸類為單極晶體管,這種易于集成的晶體管逐漸成為主流,但正如最初介紹的那樣,雙極晶體管也有,用途還不少。這種雙極晶體管與單極晶體管的區(qū)別在于,空穴和自由電子都參與了半導(dǎo)體中前者的操作。

在后者中,操作涉及空穴或自由電子。換句話說,它被稱為雙極,因?yàn)樗谄洳僮髦型瑫r(shí)涉及正負(fù)載流子。此外,雙極晶體管是電流驅(qū)動的,而單極晶體管是電壓驅(qū)動的。

二、雙極晶體管的原理

半導(dǎo)體可分為p型和n型,簡單地說,p型半導(dǎo)體有空穴,它缺乏電子。相反,n型半導(dǎo)體有過剩的自由電子。二極管和晶體管結(jié)合使用p型和n型半導(dǎo)體,但雙極型晶體管采取pnp或npn等示意圖。這被稱為PNP 半導(dǎo)體或 NPN 半導(dǎo)體。而端子從每一個(gè)出來,一個(gè)叫做發(fā)射極,另一個(gè)是集電極,中間夾著半導(dǎo)體的中間端子叫做基極。

發(fā)射極發(fā)射自由電子,旨在安裝在集電極側(cè)的空穴中。無論是 PNP 還是 NPN,僅通過從發(fā)射極或集電極施加電壓就不會產(chǎn)生電流。這是因?yàn)樵赑NP晶體管的情況下,當(dāng)從發(fā)射極側(cè)施加正電壓時(shí),在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間形成耗盡層。

但是,通過對基極施加正電壓,從基極側(cè)供給自由電子,空穴向集電極側(cè)移動而不會被N型半導(dǎo)體捕獲,結(jié)果電流可以流動。在NPN晶體管的情況下,當(dāng)從集電極側(cè)施加+電壓時(shí),發(fā)射極側(cè)n型半導(dǎo)體的自由電子和p型半導(dǎo)體的空穴結(jié)合,耗盡層也形成。

然而,當(dāng)從基極施加正電壓時(shí),自由電子流向基極側(cè),剩余的自由電子流向集電極側(cè),因?yàn)閜型半導(dǎo)體的空穴不適合。這是因?yàn)橹虚g的半導(dǎo)體是極薄的薄膜,并且電流流動。由于這種機(jī)制,向基極施加電壓有時(shí)稱為“偏置”。所以,NPN晶體管是主流市場的原因也是這個(gè)。

此時(shí),從基極流出的自由電子為電流創(chuàng)造了一條通路,因此有時(shí)也稱為“基極電流”,但基極電流即使是非常微弱的信號也能起到上述作用。此外,它不僅承載電流。由于發(fā)射極側(cè)和集電極側(cè)的載流子一起發(fā)射,因此信號被放大。

這就是晶體管的主要原理和機(jī)理,基極和發(fā)射極為PN結(jié),結(jié)構(gòu)與二極管相同。因此,為了使基極電流從基極偏置并允許基極電流流動,需要將基極電壓保持在比發(fā)射極電壓高 0.6 至 0.7V。這里產(chǎn)生的電位差稱為結(jié)飽和電壓,是開/關(guān)切換操作的原理。

三、雙極晶體管的特點(diǎn)及應(yīng)用

要了解雙極型晶體管的特性,將其與 MOS FET 和 CMOS 等單極型晶體管進(jìn)行比較更容易。首先,很容易獲得增益(增益,即輸入/輸出電壓的比值)。

如上所述,晶體管是放大電流和信號的元件,但它表明在需要高放大系數(shù)的電路中使用雙極晶體管更有效。然而,雖然可以放大微小信號,但電流至少足以操作晶體管是必不可少的。與單極晶體管一樣,即使集電極電壓發(fā)生變化,集電極電流也具有保持恒定的特性,這稱為恒流特性。

雙極晶體管在高頻操作方面也很出色。如今,數(shù)字電路正變得越來越主流,但許多電路都在高頻下工作。在這種情況下,可能會出現(xiàn)電磁噪聲,但雙極晶體管具有高噪聲特性并且對此類電路有效。另一方面,因?yàn)樗请娏黩?qū)動的,它比電壓驅(qū)動的單極晶體管消耗更多的功率。此外,可以說單極晶體管在開關(guān)速度和尺寸減小方面更勝一籌。例如,放大器、石英鐘和RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘)等振蕩電路、溫度傳感器、靜電放電處理等。

以上就是英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師分享的“什么是雙極晶體管?MOS FET和CMOS有什么不同?”。英銳恩專注單片機(jī)應(yīng)用方案設(shè)計(jì)與開發(fā),提供8位單片機(jī)、16位單片機(jī)、32位單片機(jī)。

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